توسعه باتری‌های یک هفته‌ای برای موبایل با کمک سامسونگ و آی‌بی‌ام

ساخت باتری با عمر یک هفته برای موبایل به زودی و با کمک فناورانه سامسونگ و آی‌بی‌ام محقق می‌شود.

به گزارش کالاسودا و به نقل از گیزچاینا، با چیدن ترانزیستور به صورت عمودی روی تراشه می‌توان تا 85 درصد در مصرف انرژی صرفه جویی کرد.

سامسونگ و آی بی ام در جریان کنفرانس IEDM در سان فرانسیسکو از معماری جدید ترانزیستورهای خود به صورت میدان انتقال عمودی VTFET رونمایی کردند.

در حال حاضر پردازنده‌ها و سیستم چینش روی تراشه بدین صورت است که ترانزیستورها روی سطح قرار داشته و جریان الکتریکی از یک طرف به طرف دیگر جریان دارد.

تراشه‌های فعلی از ترانزیستورهای موسوم به FinFET استفاده کرده که عملا انرژی در طول جریان انتقال، هدر می‌رود.

اما معماری جدید مبتنی بر VTFET وقتی چینش ترانزیستور به صورت عمودی انجام شود، تا 85 درصد انرژی کمتری در مقایسه با FinFET مصرف می‌کند.

با تجاری سازی این محصول، می‌توان انتظار داشت باتری‌ها تا یک هفته روی موبایل عمر کنند.

دو شرکت سامسونگ و آی‌بی‌ام اگرچه جزو اولین برندها هستند که فناوری جدید را رونمایی می‌کنند اما در این عرصه تنها نیستند.

اینتل، از دیگر غول‌های صنعت تراشه، در حال توسعه محصولی است که ترانزیستورها روی هم قرار می‌گیرند.

هدف کاهش طول اتصال و صرفه جویی در مصرف انرژی برای مقرون به صرفه کردن تراشه و عملکرد بهتر آنهاست.

اینتل قصد دارد طراحی تراشه‌هایی در مقیاس آنگستروم را تا 2024 نهایی کند.

{10 انگستروم معادل 1 نانومتر است}

این فناوری در نودهای موسوم به Intel 20A و ترانزیستورهای RibbonFET بکار گرفته می‌شود.

جالب اینکه سامسونگ و آی‌بی‌ام در مورد مزایای چنین فناوری‌ای ادعاهایی جسورانه را مطرح کرده‌اند.

به گفته آنها فناوری جدید اجازه می‌دهد تا عمر باتری‌ها تا یک هفته افزایش یابد.

حتی ممکن است هزینه استخراج ارزرمز را با فناوری جدید به شدت کاهش داد.

لینک کوتاه: