Samsung قصد دارد یک کارخانهی تولید چیپست در آمریکا برای تولید چیپستهای پرچمدار خود احداث کند.
به گزارش کالاسودا و به نقل از PhoneArena، کمپانی Samsung قرار است چیزی در حدود 10 میلیارد دلار روی احداث یک کارخانه در آمریکا سرمایه گذاری کند.
این کارخانه طبق آمار نشریهی Bloomberg، قرار است در شهر آوستین تگزاس ساخته شود.
Samsung قرار است در این کارخانه بهترین و سریعترین چیپستهای خود را تولید کرده و به پای رقیب خود، کارخانهی TSMC تایوان برسد.
هدف نهایی Samsung این است که چیپستهایی با معماری 3 نانومتری تولید کند.
این کار ابعاد ترانزیستورها نسبت به تکنولوژی 5 نانومتری را تقریبا تا نصف کاهش داده و اجازه میدهد ترانزیستورهای بیشتری در یک چیپست جای بگیرند.
به این ترتیب چیپست نهایی، توان پردازشی بسیار بالا تری خواهد داشت.
طبق برنامههای Samsung، عملیات احداث از سال 2023 آغاز خواهد شد.
این کارخانه سپس در سال 2024 آمادهی بهره برداری خواهد شد.
این کارخانه ابتدا چیپستهای 5 نانومتری تولید کرده و سپس به سراغ چیپستهای 3 نانومتری خواهد رفت.
البته کارشناسان معتقد هستند تا سال 2024، کارخانهی TSMC تولید چیپستهای 3 نانومتری را آغاز خواهد کرد و ممکن است حتی به سراغ چیپستهای 2 نانومتری برود.
TSMC ماه گذشته مجوز ساخت یک کارخانهی جدید به ارزش 12 میلیارد دلار را دریافت کرده بود.
کارشناسان باور دارند اگر Samsung واقعا بخواهد تا سال 2030 تبدیل به تولید کنندهی شماره 1 چیپستهای دنیا شود، نیاز به یک سرمایه گذاری کلان در آمریکا دارد.
چالش مهم پیش روی Samsung، تهیهی تکنولوژی EUV خواهد بود.
اگر Samsung موفق به دستیابی به این تکنولوژی شود، اولین کمپانی خواهد بود که در آمریکا برای تولید چیپستهای 3 نانومتری از آن استفاده خواهد کرد.
اگر Samsung بخواهد واقعا به مصاف Apple و چیپست M1 برود، این گام مهمی برای کمپانی خواهد بود.
لینک کوتاه: