سامسونگ از ماژول جدید رم RAM از نوع DDR5 با ظرفیت 512 گیگ رونمایی کرد.
به گزارش کالاسودا و به نقل از انگجت، این ماژول برای اولین بار از فناوری HKMG بهره برده تا به سرعتی معادل 7200 مگابیت بر ثانیه دست یابد.
این سرعت دوبرابر DDR4 است.
از این رم می‌توان در ابررایانه‌ها، عملیات مربوط به هوش مصنوعی و یادگیری ماشین استفاده کرد اما در نهایت DDR5 راه خود را برای رفتن به دنیای پی سی از طریق گیم و سایر اپ‌های سنگین باز خواهد کرد.
گفتنی است سامسونگ برای اولین بار از فناوری HKMG در سال 2018 روی تراشه‌های گرافیکی GDDR6 استفاده کرد.
کمپانی اینتل این محصول را نه با سیلیکون، بلکه با hafnium توسعه داد که بر اساس آن فلز جایگزین الکترود معمولی پلی سیلیکون می‌شود.
{هافنیوم (Hafnium) هافنیوم یک عنصر شیمیایی با علامت Hf و عدد اتمی ۷۲ است. این فلز نقطه ذوب بسیار بالایی دارد، به رنگ قهوه‌ای مایل به قرمز می‌باشد و ترکیبات آن شباهت زیادی به ترکیبات زیرکونیم دارد. البته این نکته قابل ذکر است که در بسیاری از موارد این ماده از مواد معدنی زیرکونیوم بدست می‌آید. هافنیوم در فیبرها و الکترودها استفاده می‌شود. بعضی از سوپرآلیاژها که برای برنامه‌های خاصی به کار می‌روند حاوی ترکیبات هافنیوم، نایوبیوم، تیتانیوم و تنگستن هستند.}
این کار باعث افزایش تراکم تراشه شده و جریان نشت را می‌کاهد.
هر تراشه از 8 لایه 16 گیگی بهره برده و سامسونگ برای رسیدن به 512 گیگ ظرفیت باید 32 تراشه از این دست را کنار هم بچیند.
کاهش 13 درصدی مصرف انرژی با فناوری HKMG آنها را برای استفاده در دیتاسنتر مناسب می‌سازد.
بدین ترتیب با 7200 مگابیت بر ثانیه می‌توان روی یک کانال تا 57.6 گیگابیت بر ثانیه سرعت نقل و انتقال را تجربه کرد.
اینتل گفته است پردازنده‌های نسل بعدی Sapphire Rapids زئون از این نوع مموری بهره خواهند برد.
قراردادن 8 کانال DDR5 سرعت نقل و انتقال را تا 460 گیگابیت بر ثانیه افزایش می‌دهد.
گفته شده است در سال 2022 کمپانی AMD با رونمایی از پلتفرم Zen 4 از DDR5 روی پی سی استفاده خواهد کرد.
لینک کوتاه:
